软银联合英特尔开发创新节能AI内存芯片，有望减低电力消耗至一半
发布时间：2025-06-03 12:01:03 | 责任编辑：张毅 | 浏览量：46 次
近日，软银与英特尔联合开发了一款全新的 AI 专用内存芯片，旨在大幅降低电力消耗，以便为日本的 AI 基础设施提供更为高效的支持。根据日经亚洲的报道，双方的合作目标是设计一种新型堆叠式 DRAM 芯片。这种芯片的布线方式将不同于目前市场上流行的高带宽内存（HBM），预期可以将电力消耗降低约50%。
这项新技术的开发工作由一家新成立的公司 Saimemory 负责，该公司将专注于芯片的设计和专利管理，而实际的芯片制造则将外包给专业的代工厂。Saimemory 计划在接下来的两年内完成原型的开发，随后评估是否进入量产阶段。项目的商业化目标设定在21世纪20年代，预计整个项目的投资将达到100亿日元（约合5亿元人民币）。
在这项合作中，软银是主要的投资者，将出资30亿日元（约合1.5亿元人民币）。此外，日本理化学研究所与神港精机也在考虑通过资金或技术参与该项目。项目方还计划申请政府的支持，以进一步推动这项新型存储器的研发。
软银期望这款新型内存芯片能够广泛应用于其 AI 训练数据中心。随着 AI 技术在企业管理等高阶领域的不断深入，对高性能和高效率的数据处理能力的需求日益增加。新型内存芯片有望以更低的成本，支持构建高质量的数据中心，从而满足不断增长的市场需求。
这一研发进展无疑将为 AI 行业带来新的机遇，同时也为推动节能和环保的技术应用贡献力量。随着 AI 技术的快速发展，软银和英特尔的这一合作，可能会对整个科技行业产生深远的影响。
划重点:
🌟 软银与英特尔合作开发新型 AI 内存芯片，旨在降低电力消耗约50%。
💡 新型堆叠式 DRAM 芯片的设计不同于现有的高带宽内存（HBM）。
💰 项目预计投资100亿日元，软银为主要投资方，目标在21世纪20年代实现商业化。
软银与英特尔正在合作开发一种新型节能AI内存芯片，旨在显著降低电力消耗。以下是关于这一合作项目的详细信息：
技术特点
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新型堆叠式DRAM设计：该芯片采用创新的堆叠式DRAM布线方式，与现有的高带宽内存（HBM）不同，预计可将电力消耗减少约50%。
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提升能效比：通过优化布线和连接技术，新型芯片在处理相同数据量时，能耗大幅降低，同时发热问题也得到缓解。
合作模式与分工
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新公司Saimemory：双方联合成立了Saimemory公司，负责芯片的设计和专利管理。英特尔提供核心芯片技术，东京大学等日本高校贡献了相关专利成果。
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制造外包：芯片的制造环节将委托给专业的代工厂完成。
项目规划与目标
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研发时间表：计划在两年内完成芯片原型开发，并在2020年代末实现商业化。
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投资规模：项目总投资预计达到100亿日元（约合5亿元人民币），其中软银作为主要投资方，已出资30亿日元。
战略意义
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降低运营成本：新型芯片的低功耗设计将显著降低AI数据中心的运营成本，同时减少散热压力。
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推动绿色计算：这一技术突破有助于推动AI数据中心的绿色转型，促进可持续发展。
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市场竞争力：目前HBM市场主要由三星、SK海力士等企业主导，新型芯片若成功商业化，将为市场提供一种更高效的替代方案。
此次合作不仅展示了软银与英特尔在AI基础设施领域的技术实力，也为全球AI技术的发展和绿色计算提供了新的思路。
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